GOODRAM SSD PX500 512GB M.2 2280, NVMe (R:2000/ W:1600MB/s) Gen.2

Audio, video, TV AUTO - MOTO Drogerie Dům a zahrada Foto Hračky Káva, kávovary, příprava kávy Malé domácí spotřebiče Počítače, notebooky Sport, krása, zdraví, zábava Velké spotřebiče Výprodej ULTRA nízké ceny
X

   Na vašem soukromí nám záleží

Naše webové stránky používají soubory cookies a potřebujeme Váš souhlas který můžete kdykoliv změnit v patičce webu v sekci Cookies politika.

Tlačítkem "Rozumím a přijímám" nám udělujete souhlas používat nezbytná cookies pro správné fungování webu a zlepšovat tak naše služby.

Soubory cookie jsou textové soubory, které jsou ukládány ve webovém prohlížeči nebo webovým prohlížečem v počítačovém systému uživatele. Pokud uživatel vyvolá webovou stránku, může být soubor cookie uložen v operačním systému uživatele. Tento soubor cookie obsahuje charakteristický řetězec, který umožňuje jednoznačnou identifikaci prohlížeče při opětovném vyvolání webové stránky.



GOODRAM SSD PX500 512GB M.2 2280, NVMe (R:2000/ W:1600MB/s) Gen.2

500808354657235465724546572556144185614419561442056144215614422564254556425465642547

GOODRAM SSD PX500 512GB M.2 2280, NVMe (R:2000/ W:1600MB/s) Gen.2

1200 Kč
992 Kč bez DPH

Dostupnost: Skladem-dodání 2-4 dní

Part no.: SSDPR-PX500-512-80-G2

Kód produktu: 98726313

Výrobce: GoodRAM

Váha: 0,01 kg

Potřebujete více informací?

Info@euroking.cz

484800850

po-pá 8:00-16:30


Popis produktu

Popis produktu

PX500 GEN.2 NVME PCIE GEN 3 X4 SSD
By providing up to 4x better sequential and random transfer performance compared to SATA III Solid State Drives and lower latency than AHCI drives, GOODRAM PX500 gen.2 pumps-up your PC. The performance will improve the work of more demanding customers, offering a reading of up to 2050MB/s. It is also perfect as a stand-alone drive, as well as an add-on to a hard disk in desktops and laptops. Available capacities for the PX500 gen.2 make the drive work in both roles.

high-speed PCIe gen 3 x4 interface
wsparcie NVMe 1.3
3D NAND flash technology
heat-dissipating thermal pad

TECHNICAL SPECIFICATIONS



PERFORMANCE


Sequential read performance (max.)
2 000 MB/s


Sequential write performance (max.)
1 600 MB/s


Random read performance (4k QD64) (max.)
173 000 IOPS


Random write performance (4K QD64) (max.)
140 000 IOPS


PHYSICAL PARAMETERS


Capacity
512 GB


Form Factor
80 x 22 x 3,5 mm


Interface
M.2 PCIe NVMe gen 3 x4 (M key)


NAND flash
3D NAND flash


Temperature
Operational: 0 - 70°C Storage: -45 - 85°C



More information on the manufacturer s website: https://www.goodram.com/cs/

Přes veškerou snahu zajistit co nejpřesnější popis, obrázky a technické parametry produktů nemůžeme zaručit, že uváděná data odpovídají skutečnosti. Řada výrobců si vyhrazuje právo změny některých parametrů či vlastností bez předchozího upozornění. Potřebujete-li ujištění o určitých parametrech produktu nebo v případě pochybností, kontaktujte prosím svého obchodníka. Pozdější reklamace vlastností je zbytečnou komplikací pro obě strany.

Zpět k nákupu