Kategorie
Zpět k nákupu
GOODRAM SSD PX500 512GB M.2 2280, NVMe (R:2000/ W:1600MB/s) Gen.2
1200 Kč
992 Kč bez DPH
Dostupnost: Skladem-dodání 2-4 dní
Part no.: SSDPR-PX500-512-80-G2
Kód produktu: 98726313
Výrobce: GoodRAM
Váha: 0,01 kg
Potřebujete více informací?
484800850 po-pá 8:00-16:30 |
Popis produktu
By providing up to 4x better sequential and random transfer performance compared to SATA III Solid State Drives and lower latency than AHCI drives, GOODRAM PX500 gen.2 pumps-up your PC. The performance will improve the work of more demanding customers, offering a reading of up to 2050MB/s. It is also perfect as a stand-alone drive, as well as an add-on to a hard disk in desktops and laptops. Available capacities for the PX500 gen.2 make the drive work in both roles.
high-speed PCIe gen 3 x4 interface
wsparcie NVMe 1.3
3D NAND flash technology
heat-dissipating thermal pad
TECHNICAL SPECIFICATIONS
PERFORMANCE
Sequential read performance (max.)
2 000 MB/s
Sequential write performance (max.)
1 600 MB/s
Random read performance (4k QD64) (max.)
173 000 IOPS
Random write performance (4K QD64) (max.)
140 000 IOPS
PHYSICAL PARAMETERS
Capacity
512 GB
Form Factor
80 x 22 x 3,5 mm
Interface
M.2 PCIe NVMe gen 3 x4 (M key)
NAND flash
3D NAND flash
Temperature
Operational: 0 - 70°C Storage: -45 - 85°C
More information on the manufacturer s website: https://www.goodram.com/cs/
Popis produktu
PX500 GEN.2 NVME PCIE GEN 3 X4 SSDBy providing up to 4x better sequential and random transfer performance compared to SATA III Solid State Drives and lower latency than AHCI drives, GOODRAM PX500 gen.2 pumps-up your PC. The performance will improve the work of more demanding customers, offering a reading of up to 2050MB/s. It is also perfect as a stand-alone drive, as well as an add-on to a hard disk in desktops and laptops. Available capacities for the PX500 gen.2 make the drive work in both roles.
high-speed PCIe gen 3 x4 interface
wsparcie NVMe 1.3
3D NAND flash technology
heat-dissipating thermal pad
TECHNICAL SPECIFICATIONS
PERFORMANCE
Sequential read performance (max.)
2 000 MB/s
Sequential write performance (max.)
1 600 MB/s
Random read performance (4k QD64) (max.)
173 000 IOPS
Random write performance (4K QD64) (max.)
140 000 IOPS
PHYSICAL PARAMETERS
Capacity
512 GB
Form Factor
80 x 22 x 3,5 mm
Interface
M.2 PCIe NVMe gen 3 x4 (M key)
NAND flash
3D NAND flash
Temperature
Operational: 0 - 70°C Storage: -45 - 85°C
More information on the manufacturer s website: https://www.goodram.com/cs/
Přes veškerou snahu zajistit co nejpřesnější popis, obrázky a technické parametry produktů nemůžeme zaručit, že uváděná data odpovídají skutečnosti. Řada výrobců si vyhrazuje právo změny některých parametrů či vlastností bez předchozího upozornění. Potřebujete-li ujištění o určitých parametrech produktu nebo v případě pochybností, kontaktujte prosím svého obchodníka. Pozdější reklamace vlastností je zbytečnou komplikací pro obě strany.